Memória 4D NAND da SK Hynix foi introduzido com 512 Gb (Gigabits) de capacidade, e possui tecnologia 4D que permite empilhar os circuitos periféricos sob as células de memória, conseguindo assim reduzir o tamanho e obter o menor chip de memória. Este tem eficiência melhorada em 34% para este tipo de memória por poder produzir um maior número de chips com maior densidade no mesmo wafer.
Também foi possível melhorar a velocidade nessas memórias, até 2,4 Gbps, o que é 50% mais que os anteriores. No que diz respeito ao consumo, foi possível melhorar a eficiência energética destas memórias, agora consumir 21% menos do que as memórias anteriores de 176 camadas.
A SK Hynix comentou que essas memórias serão trazidas primeiro para SSDs para computadores domésticos, depois para telefones celulares e, finalmente, para serem usadas para SSDs de alto desempenho em servidores. Esta memória 4D NAND de 238 camadas também será lançada com uma capacidade o dobro da atual, 1 Tb (Terabit) para o próximo ano de 2023.
